بررسی شبیه سازی مبدل های سطح ولتاژ با سرعت بالا وتوان پایین
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 456
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TECCONF03_029
تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ با بهره توان مناسب که میتواند سطح بسیار پایینی از ولتاژ ورودی را به سطح بالای ولتاژ خروجی تبدیل کند ارایه شده است. بهره خوب این مدار ناشی از این است که نه تنها قدرتpull-up مدار وقتی که مدار گره خروجی را pull-down میکند بخوبی کاهش یافته است بلکه قدرت pull-down مدار نیز با استفاده از یک مدار معین دیگرکه توان پایین بوده افزایش یافته است.نتایج شبیه سازی در تکنولوژی 180 nm CMOS در نرم افزار HSPICE برای فرکانس 1مگاهرتز سطح پایین منبع تغذیه = 0.4 وسطح بالای منبع تغذیه = 1.8 شبیه سازی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیر پناهی
دانشجوی کارشناسی ارشد مدارات مجتمع الکترونیک دانشکده مهندسی برق،دانشگاه شهید بهشتی،تهران،ایران
علیرضا حسن زاه
استادیار گروه مهندسی برق،دانشگاه شهید بهشتی،تهران،ایران