استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق

هدایت گرمایی الماس 01 برابر از سیلیکون و 0111 برابر از اکسید سیلیکون بیشتر میباشد. این مشخصه، الماس را بعنوان یک هادی گرمایی خوب معرفی کرده و باعث انتقال یکنواخت حرارت میگردد. با توجه به این مشخصه میتوان گفت که ترانزیستورهای سیلیکون بر روی الماس جایگزین خوبی برای نسل آینده ترانزیستورها به ویژه در کاربردهایی با قابلیت هدایت گرمایی بالا بوده به طوری که با پایین آمدن دما، امکان استفاده از این تکنولوژی در شرایط توان بالا مهیا میگردد. افزون بر مزیت عالی تکنولوژی سیلیکون روی الماس، بدلیل ضریب گذردهی بالاتر ماده الماس نسبت به اکسید سیلیکون، خازنهای کوپلاژ بین سورس و درین با بدنه از طریق لایه الماس بزرگتر شده و این موج بدتر شدن اثرات کانال کوچه در افزارههای زیر میکرون شده است، لدا لازم است جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در تکنولوژی سیلیکون روی الماس، این ساختارها مورد بررسی بیشتری قرار گیرد

کلیدواژه ها:

oxide silicon ، باکس ، ترانزیستور سیلیکون روی عایق ، diamond