CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک CuCrO2 تهیه شده با روش سل-ژل و تکنیک لایه نشانی چرخشی

اعتبار موردنیاز : ۰ | تعداد صفحات: ۴ | تعداد نمایش خلاصه: ۳۵۷ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۰
کد COI مقاله: THINFILM01_034
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۳۰۴.۸۹ کیلوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده و درپایگاه سیویلیکا موجود نمی باشد.

منبع مقالات سیویلیکا دبیرخانه کنفرانسها و مجلات می باشد. برخی از دبیرخانه ها اقدام به انتشار اصل مقاله نمی نمایند. به منظور تکمیل بانک مقالات موجود، چکیده این مقالات در سایت درج می شوند ولی به دلیل عدم انتشار اصل مقاله، امکان ارائه آن وجود ندارد.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد

مشخصات نویسندگان مقاله خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک CuCrO2 تهیه شده با روش سل-ژل و تکنیک لایه نشانی چرخشی

  مرتضی عاصمی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
  داود کلهر - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
  آرین گودرزی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
  مجید قناعت شعار - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران

چکیده مقاله:

لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف CuCrO2 با استفاده از روش سل - ژل به همراه لایه نشانی چرخشی روی زیرلایه ی شیشه تهیه شدند.اثر دمای عملیات پیش حرارتی، روی خواص الکتریکی و اپتیکی این نیمرسانای نوع P مورد بررسی قرار گرفت و سپس نمونه ها تحت عملیات حرارتی در خلا در فشار 10 میلی بار قرار گرفتند. میزان تراگسیل نمونه ها در ناحیه نور مرئی حدود 80 درصد، گاف انرژی در حدود 3 الکترون ولت و مقاومت الکتریکی لایه ها از مرتبه مگا اهم است.

کلیدواژه‌ها:

سل - ژل،لایه نازک، لایه نشانی چرخشی، نیمرسانای اکسیدی شفاف

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-THINFILM01-THINFILM01_034.html
کد COI مقاله: THINFILM01_034

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
عاصمی, مرتضی؛ داود کلهر؛ آرین گودرزی و مجید قناعت شعار، ۱۳۹۰، خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک CuCrO2 تهیه شده با روش سل-ژل و تکنیک لایه نشانی چرخشی، اولین کنفرانس ملی نوآوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها، کرمان، مرکز بین المللی علوم و تکنولوژی پیشرفته و علوم محیطی، https://www.civilica.com/Paper-THINFILM01-THINFILM01_034.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (عاصمی, مرتضی؛ داود کلهر؛ آرین گودرزی و مجید قناعت شعار، ۱۳۹۰)
برای بار دوم به بعد: (عاصمی؛ کلهر؛ گودرزی و قناعت شعار، ۱۳۹۰)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • A.N. Banerjee, K.K. Chattopadhyay , Recent developments in the emerging ...
  • Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, G.C., Evin, ...
  • transparent conducting oxide thin films, progress in Crystal Growth and ...
  • Jinmei Wang, Peich _ Zheng, DaLi, Zanhong Deng, ...
  • A.N. Banerjee, S. Kundoo, K.K. Chattopadhyay, ...
  • T.-W. Chiu, K. Tonooka, N. Kikuchi, Fabrication of transparent CuCrO2 ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: ۱۵۲۰۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.