بررسی خواص الکترونیکی ریز ساختار 3(I03)In
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 664
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
THINFILM01_036
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله برخی از خواص الکترونی از جمله ساخار نواری، چگالی حالت ها و گاف انرژی برای ترکیب 3(I03)In بر اساس اصول اولیه محاسبه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (FP -LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. گاف الکترونی 3/6 ev به دست آمده از روش محاسبات نواری با گاف حاصل از لایه نازک این ترکیب تقریبا یکسان است.
نویسندگان
سیده زینب ساداتی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
براتعلی فیض آبادی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
جواد باعدی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :