مدلسازی مقاومت حافظه دار (ممریستور)

در سال 1971 تئوری وجود چهارمین عنصر اصلی مدار به نام ممریستور توسط lean chua مطرح و با پیشرفت علم درمقیاس نانو مدل فیزیکی آن در سال 2008 توسط دانشمندان گروه HP ساخته شد این عنصر غیرفعال، حافظه دار، آنالوگ، کوچک، دارای سرعت سوئیچینگ بالا بوده و قابلیت یکپارچه سازی با مدارات مجتمع را دارد حال برای آنکه بتوانیم بهره برداری مناسبی از این عنصر داشته باشیم باید کاربردهای خاصی شناسایی شوند که درآنها ویژگی های بی همتای ممریستور، امکاناتی را در اختیار بگذارد که توسط دیگر عنصرهای رایج امروز قابل دستیابی نباشد بدین منظور باید عملکرد مدل رفتاری ممرسیتور کاملا بررسی و مشخصات آن استخراج شود.

کلیدواژه ها:

فیلم لایه نازک ، مدل فیزیکی خطی ، مدل فیزیکی غیرخطی ، ممریستور