مهدی نهاوندی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم پایه، خیابان شریعت
فلورا حشمت پور - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم پایه، خیابان شریعت
هادی عادلخانی - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات لیزر

با استفاده از فرآیند Sol-Gel و با روش لایه نشانی غوطه وری، پوشش های ضد بازتاب SiO2 بر روی بستر لام میکروسکوپ تهی بررسی UV-Vis شدند . سپس اثر عوامل سرعت کشش، دمای عملیات حرارتی و مدت زمان پیرشدگی بر روی طیف عبوری نمونه های تهیه شده، در محدوده شد . افزایش سرعت کشش و نیز افزایش دمای عملیات حرارتی، موجب کاهش میزان عبور نور شد . زمان پیرشدگی سل، اثر قابل توجهی بر روی میزان عبور نداشت که حاکی از پایداری محلول سل می باشد . برای بررسی ساختار سطحی لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی از سطح نمونه ها تصویر SEM تهره شد.