نگین معنوی زاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
علیرضا خدایاری - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل صلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
رضا افضل زاده - گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

لایههای نازک ITO با ضخامتهای مختلف 130-620 nm بر روی زیرلایههای شیشه نازک به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی لایه نشانی شده و سپس در دمای 400°C در محیط خلأ پخت شدهاند . ساختار کریستالی، مشخصههای الکتریکی و اپتیکی نمونههای ITO توسط آنالیزهای XRD ، سیستم اندازه گیری مقاومت چهار ترمینالی و طیفUV/VIS/IR مورد بررسی قرار گرفته است . با بررسی نتایج حاصل از آنالیزهای انجام شده با افزایش ضخامت لایه، درصد عبوری میانگین در طیف مرئی کاسته و مقاومت الکتریکی نیز کاهش مییابد . در مقابل، با بررسی طیف XRD لایهای که دارای ضخامت 620 nm است، قلههای بهینه (222) و (400) نشان دهنده توازن شفافیت و هدایت الکتریکی میباشند