ایرج مرادی قراتلو - آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
رسول اژئیان - آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
کیوان جهانشاهی - آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
موسی نخعی بدرآبادی - آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران

در این تحقیق چ ندین گیر نده نوری با استفاده از سلنیوم آمورف به روش تبخیر فیزیکی در خلأ PVD با ضخامت لایة اکسیدی متفاوت ساخته شد . با رسم منحنـی هـای دشارژ در تاریکی و روشنایی لایههای گیرنده نوری به دست آمده، تأثیر ضخامت لایة اکسید آلومینیوم بر این منحنیها و کیفیت گیرندههای نوری بررسی و تحلیل شد