مهدیه یوسفی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
ماندانا امیری - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
علیرضا مشفق - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف و پژوهشکده نانو، دانشگاه صنعتی شری

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید روی با روش شیمیایی سل -ژل از طریق غوطه وری، بر روی سطح زیر لایه هایی از جنس شیشه لایه نشانی شد. اثر غلظت های متفاوت سل اولیه و دماهای مختلف پخت بر روی خواص نوری لایه های نازک ZnO بررسی شد. لایه ها با استفاده از روشهای اسپکتروسکوپی XPS، میکروسکوپی AFM، اسپکتروفوتومتری UV-Vis و IR مشخصه یابی گردید. براساس تحلیل نتایج به دست آمده، با افزایش غلظت سل اولیه، میزان عبور در ناحیه ماورای بنفش کاهش یافت اما با ازدیاد دمای پخت میزان عبور در این ناحیه افزایش یافت. از مقایسه و ارزیابی نتایج با شرایط ساخت، دمای پخت 500 درجه سانتیگراد و غلظت سل 0/1 مولار به عنوان شرایط بهینه مشخص شد که باعث تشکیل لایه کریستالی ZnO در این دما و بهترین دانه بندی در این غلظت گردید. بر طبق تحلیل نتایج XPS، ترکیب شیمیایی لایه های نازک سنتز شده بصورت استوکیومتری تقریباٌ Zn: O=1:1 تعیین گردید.