CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی

عنوان مقاله: مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی
شناسه (COI) مقاله: ELECA01_029
منتشر شده در اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

مهسا صداقت - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران
آیت زنده طالشمکائیل - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران

خلاصه مقاله:
امروزه با پیشرفت در تکنولوژی CMOS تمایل بی سابقه به کوچک کردن ترانزیستور ها، موجب شده است مهندسین و محققان که بتوانند ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون را به کمتر از دو نانومتر برسانند. اما این تکنولوژی، مشکلاتی مانند افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک را به همراه داشته است]1[.امروزه مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیرآلی که شامل اکسید های فلزی هستند ،به علت جریان نشتی پایین و ثابت دی الکتریک بالا توانسته اند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی باشند]4-2.[ اخیرا مطالعات و تحقیقات کثیری درباره لایه های نانوساختار سیلیکونی صورت گرفته است در این مقاله تاکید ما بر مواد پایه کربنی است و ترانزیستورهای لایه نازک آلی را مورد بررسی قرار می دهیم در ساختار ترانزیستور مورد نظر ،از اتصالات فلزی شامل اتصالات گیت، درین و سورس با استفاده از لایه نشانی فلزاتی مانند آلومینیوم، طلا و یا نقره ایجاد می گردند که این لایه ها به صورت متوسط ضخامتی در حدود 30 nm دارند.

کلمات کلیدی:
OFET ،OLED ، مواد نیمه هادی آلی ، نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیر آلی، سلول های خورشیدی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ELECA01-ELECA01_029.html