CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله توسعه مدارات کلید زنی مبتنی برVLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل

عنوان مقاله: توسعه مدارات کلید زنی مبتنی برVLT به منظور بهبود بهره ولتاژ مبدل
شناسه (COI) مقاله: ELECA01_037
منتشر شده در اولین همایش منطقه ای برق و فناوریهای نوین در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

مرتضی دلسوار - دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
علی پیردلخوش - دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران
مهدی سلیمی - دانشکده فنی‐ مهندسی ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل،اردبیل -ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله توسعه سلول های VLT(نوع ولتاژ بالابرنده) بررسی شده است . مدار پیشنهادی ، به منظور بهبود افزایش توانایی های متداول مبدل های DC-DC نسبت به مدارات قبلی طراحی شده است. در این مقاله از سه سلول سوئیچ شونده SL(بالابرنده) استفاده شده است. هر دو حالت CCM و DCM در این مدار مورد بحث قرار گرفته است. نتایج تئوری توسط شبیه سازی اثبات شده است

کلمات کلیدی:
VLT و DCM (مد هدایت گسسته)و CCM (مد هدایت پیوسته)و SL

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ELECA01-ELECA01_037.html