CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی

عنوان مقاله: اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی
شناسه (COI) مقاله: ICEECS02_004
منتشر شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

سجاد بیات - دانشجوی دانشگاه آزاد اسلامی بندرعباس
سید علی حسینی - استادیار دانشگاه آزاد اسلامی یادگار امام (ره)شهرری

خلاصه مقاله:
با توجه به محدودیتهای که تکنولوژی مدارات مجتمع سیلیکونی با کاهش مقیاس روبرو است با کشف ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی CNTFET در سالهای اخیر این تکنولوژی به عنوان جایگزینی مناسب برای ترانزیستورهای سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفته است در این مقاله به طراحی اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ VCO با استفاده از این تکنولوژی پرداخته شده است نوع اسیلاتور مطرح شده اسیلاتور حلقوی تکر سر سه مرحله ای می باشد شبیه سازی مدار با استفاده از نرم افزار Hspice با تکنولوژی 32 nm انجام گرفته است نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در مقایسه با CMOS با طول کانال مشابه فرکانس موج خروجی 16 برابر افزایش و توان مصرفی 3.36 برابر کاهش یافته است

کلمات کلیدی:
اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ،ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی،فرکانس خروجی،توان مصرفی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ICEECS02-ICEECS02_004.html