CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS

عنوان مقاله: طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS
شناسه (COI) مقاله: ICEECS02_013
منتشر شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

جواد ایزدی - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
بهروز حیدری - استاد راهنما و عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد باقر توکلی - استاد مشاور و رییس گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

خلاصه مقاله:
یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام می شود معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شود این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارائه می گردد

کلمات کلیدی:
مدار مرجع ولتاژ،ناحیه ی زیر آستانه،تغییرات دمایی،مصرف توان پایین

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ICEECS02-ICEECS02_013.html