CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر

عنوان مقاله: تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر
شناسه (COI) مقاله: ICEECS02_053
منتشر شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

نازنین مختاری - دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی نجف آباد ایران
آرش دقیقی - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران
مهدی دولتشاهی - دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی نجف آباد ایران

خلاصه مقاله:
دراین مقاله به بررسی تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستور های ماسفت سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده می پردازیم تاثیر میزان مقاومت بدنه بر جریان حفره های ناشی از پدیده ی یونیزاسیون برخوردی و عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به عنوان عامل شکست نشان داده می شود در این راستا با مدل کردن مقاومت بدنه و تغییر آن و انجام شبیه سازی تاثیر تغییرات مقاومت بدنه را بر جریان حفره های تولیدی ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و مولفه های جریانی ترانزسیتور دو قطبی پارازیتی بررسی می کنیم نشان می دهیم که با کاهش مقاومت بدنه می توان فیدبک مثبتی که توسط این ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به وجود می آید را تضعیف کرد و مکانیسم شکست را تعدیل کرد و ولتاژ شکست را بهبود بخشید نتایج شبیه سازی نشان دهنه ی بهبود 10 درصدی ولتاژ شکست ترانزیستور با مقامت بدنه 50kΩ نسبت به همان ترانزیستور با مقاومت بدنه 100kΩ می باشد

کلمات کلیدی:
مقاومت بدنه،ولتاژ شکست،ماسفت سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده،یونیزاسیون برخوردی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ICEECS02-ICEECS02_053.html