احسان رحیمیان محمدی - مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران
وحید احمدی - مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، گروه الکترونیک،

بهره قطبشهای TMو TE در ساختار لیزر چاه کوانتومی تنشیAl x Ga − x As - GaAs با در نظرگرفتن جفت شدگی نوار ظرفیت محاسبه شده اند . نتایج بدست آمده نشان می دهد که در اثر تنش فشاری زیر نوار حفره های سبک، LH1 ، به سمت بالا و زیر نوار حفره های سنگین، HH1 ، به سمت پایین جابجا می شوند . از مقایسه طیفهای بدست آمده با طیفهای ساختار غیر تنشی نتیجه می شود که بهره قطبش TE کاهش ولی در قطبش TM افزایش می یابد . در محاسبات انجام گرفته زیر نواهای hh1 و 1 لحاظ شده اند