ادریس فیض آبادی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران، دانشگاه علم و صنعت , تهران
محمدرضا خیاط زاده - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران
مهدی سلیمانی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران

ساختار نواری دو مادة GaAs و InAs با استفاده از تئوری 8 نواری کین ، محاسبه شده است و با تکیه بر آن در حضور برهمکنش اسپین - مدار و با استفاده از مدل نوارهای صلب ساختار نواری برای ماده بی نظم In بدست آمده است . با استفاده از آن شفافیت سد نیمرسانا و قطبیدگی اسپین برای عبور الکترونها از این ساختار بی نظم محاسبه گردیده است . همچنین اثر درصد ناخالصی بر قطبیدگی اسپین و شفافیت سد بررسی شده است .