CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی و بهینه سازی لایه های نازک نیترید سیلیکون به عنوان پوشش ضدبازتاب سلولهای خورشیدی مولتی کریستال سیلیکون با شیوه کندوپاش RF

عنوان مقاله: بررسی و بهینه سازی لایه های نازک نیترید سیلیکون به عنوان پوشش ضدبازتاب سلولهای خورشیدی مولتی کریستال سیلیکون با شیوه کندوپاش RF
شناسه ملی مقاله: IPC85_151
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1385 در سال 1385
مشخصات نویسندگان مقاله:

نگین معنوی زاده - آزمایشگ
بهزاد اسفندیارپور - آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
هادی ملکی - پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی

خلاصه مقاله:
لایههای نازک نیترید سیلیکون بر روی زیرلایههای مولتی کریستال سیلیکون با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شدهاند . لایه نشانی در محیط گاز آرگن و نیتروژن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی مبتنی بر مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد . با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییر کرده و لایههایی با خواص نوری متفاوت بدست میآید . نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوششهای ضدبازتاب نیترید سیلیکون بهینه شده به کمک آنالیز RBS بررسی شده است . از آنالیزFTIR برای بررسی خواص نوری این لایهها استفاده شده است . لایههای نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین -150 100 وات لایه نشانی شدهاند، درصد عبور نوری بسیار بالایی ) %92 در حدود شفافیت شیشههای نازک ) در طیف وسیع 300-1200 nm دارا می - باشند . لایههای ضدبازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلولهای مولتی کریستال سیلیکون را از %12 به کمتر از %2 کاهش میدهند

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/24796/