برهان ارغوانی نیا - گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
داوود آقاعلی گل - پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای، آزمایشگاه واندوگراف
علی باقرزاده - پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای، آزمایشگاه واندوگراف
داریوش فتحی - گروه فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

در این مقاله با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM ) ، تأثیر ناخالصی آرسنیک (As) با دز های مختلف که با روش کشت یونی در ویفرهای سیلیسیم تک بلور (100) ، کاشته شده است، بعد از اکسیداسیون گرمایی سیلیسیم در تغییرات مورفولوژی سطح فصل مشترک اکسید - نیمه رسانا مطالعه شده است . همچنین تأثیر بازپخت حرارتی بعد از مرحله اکسیداسیون در خواص الکتریکی و منحنی ولتاژ - جریان (I-V) مورد مطالعه قرار گرفته است . علاوه بر این ایجاد لایه بلوری و غنی از Asدر فصل مشترک اکسید – نیمه رسانا با استفاده از تکنیکRBS-Channeling بررسی شده است