زهرا هاشم پور - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ، مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما
منوچهر کلافی - پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز
رجب یحیی زاده - گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز

در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد