CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

آنالیز خودگرمایی در تکنولوژی سلسیم روی عایق

عنوان مقاله: آنالیز خودگرمایی در تکنولوژی سلسیم روی عایق
شناسه ملی مقاله: ISCEE14_009
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:

حمید یزدانی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
موسی فلاح خورسند - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

خلاصه مقاله:
با کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستور ها و مجتمع سازی آنها در مقیاس خیلی بزرگ مشکلات قابل ملاحظه ای درادوات سیلسیم بوجود می آید به برخی از این مشکلات از جمله کمتر شدن سرعت سوئیچینگ و بالا رفتن توان مصرفی می توا ن اشاره داشت بهترین تکنولوژی جایگزین تکنولوژی سیلسیم روی عایق می باشد این تکنولوژی نیز از این قاعده مستثنی نمی باشد مهمترین عیب تکنولوژی سیلسیم روی عایق پدیده خودگرمایی می باشد وجود لایه اکسید سیلسیم مانع انتقال گرما و خنک شدن عنصر می گردد دراین مقاله به بررسی و آنالیز پدیده خودگرمایی می پردازیم.

کلمات کلیدی:
خودگرمایی، ظرفیت گرمایی، قابلیت گرمایی، سرعت سوئیچینگ

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/121458/