ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور
عنوان مقاله: ساخت افزاره جدید Idmos براساس بکاربردن p-well مورد استفاده در سطح فوقانی افزاره و تاثیر آن برجریان عبوری و ولتاژ شکست ترانزیستور
شناسه ملی مقاله: ISCEE14_036
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور در سال 1390
شناسه ملی مقاله: ISCEE14_036
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق کشور در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:
محمدمهدی علامه - دانشگاه شهید چمران اهواز
خلاصه مقاله:
محمدمهدی علامه - دانشگاه شهید چمران اهواز
دراین گزارش قصد داریم تا در ابتدا مراحل ساخت افزاره ldmos را تشریح کرده و در ادامه تاثیر عوامل ساخت در ناحیه n-drift را درا یجاد ولتاژ شکست بالا مورد بررسی قرار دهیم دراین افزاره می بینیم نحوه ساخت و طراحی بگونه ای انجام شدها ست که همزمان با ایجاد یک ولتاژ شکست بالا مقاومت حالت روشن کم بوده و جریان دارای مقدار قابل قبولی خواهد بود.
کلمات کلیدی: مقاومت حالت روشن، ولتاژ شکست ، . Ldmos , n-drift
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/121481/