CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون

عنوان مقاله: بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون
شناسه (COI) مقاله: ISCEE14_050
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران در سال ۱۳۹۰
مشخصات نویسندگان مقاله:

بهناز توکلی قینانی -
علیرضا عرفانیان -

خلاصه مقاله:
اخیراً، ترانزیستورهای تک الکترون، بدلیل حساسیت بالای خود به بار الکتریکی، مصرف پایین برق و چگالی بالای مجتمعسازی کاربردهای گستردهای پیدا کردند. یکی از اولین کاربردهایSET بصورت سنسور بار است که با دستگاههای میکروسکوپ قابل اندازهگیری می- باشد. این اندازهگیریها نیاز به حساسیت کافی برای تشخیص حرکت بار، به اندازه یک الکترون دارد. برای قابل اعتماد و تجدیدپذیر بودن چنین آزمایشاتی، فرایند ساخت بسیار مهم میباشد. در این مقاله، ما روشهای ساخت و برخی نتایج تجربی را بررسی و مقایسه مینماییم. هریک از روشهای بررسی شده مزایای منحصر بفرد خود را دارا میباشد که بسته به نیاز، فرایند مورد نظر انتخاب میگردد. برای مثال، روش تبخیر دو زاویهای، روشی خود تنظیم؛ روشEBL ساده، انعطافپذیر و قابل کنترل میباشد، روشFIB تونلزنی قوی و تولید یکنواخت در مقیاس نانو دارد PADOX خود تنظیم و ساده است. روشSTM که برای ساخت انواعSET میرود فرایند سریعی دارد و قطعه میتواند در دمای اتاق عمل کند. همچنین در روشAFM میتوان موقعیت و اندازه جزیره را کنترل نمود، روش نقطه کوانتومی، خود تنظیم و خود آرا است و روش دیوار کناری قابلیت مجتمعسازی و ساخت در اندازههای کوچک و چگالی بستهبندی بالا را دارد.

کلمات کلیدی:
.STM ،SET ،FIB ،EBL ،AFM

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-ISCEE14-ISCEE14_050.html