نرگس صادق بیگی - گروه فیزیک ، دانشگاه الزهرا (س)
رضا ثابت داریانی - گروه فیزیک ، دانشگاه الزهرا (س)

لایه نشانی ویفر سیلیکون به روش لایه نشانی با زاویه فرودی مایل تحت زوایای 75و 85 درجه انجام شد اندازه گیری مقاومت سطحی لایه، به روش ون در پاو انجام و نتایج آن با مقاومت زیرلایه که به همین روش اندازه گیری شده است، مقایسه شد نتایج به دست آمده نشان می دهد، مساحت سطحی و در نتیجه مقاومت سطحی نمونه ی °75 به مراتب بزرگتر از °85 و همچنین مساحت سطحی °85 به مراتب بزرگتر از ویفر می باشد.

ون در پاو، سیلیکان، مقاومت ویژه