CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی

عنوان مقاله: اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی
شناسه (COI) مقاله: LPPS01_043
منتشر شده در کنفرانس ملی فناوریهای نوین نور، فتونیک و سیستمهای فتوولتاییک در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

علی زرگری - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
یدالله هزار جریبی - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
میثم کشیری - باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد علی آباد کتول دانشگاه آزاد اسلامی علی آباد کتول ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی نامتقارن با نقص در نظر گرفته شده و با محاسبه ضریب عبور با تغییر طول موج، تغییرات مد نقص بررسی شده است. مشاهده می شود که درون نوار گاف بلور فوتونی یک مد نقص وجود دارد. در قطبش TE با افزایش زاویه فرودی، مد نقص به سمت طول موج های کوتاه تر جابه جا می شود ارتفاع مد نقص تغییر زیادی نمی کند و همچنین با افزایش زاویه فرودی دو مد نقص در نوار گاف مشاهده می شود. همچنین مشاهده شد که با افزایش تعداد سلول های واحد، مکان مد نقص تغییری نمی کند و تنها تاثیر افزایش تعداد سلول های واحد به صورت باریک شدن شکل قله و افزایش تیزی لبه های نوار می باشد. به علاوه با افزایش ضریب شکست و ضخامت لایه ی نقص مدهای نقص به سمت طول موج های بزرگتر حرکت می کنند.

کلمات کلیدی:
مدهای نقص – قطبشTE– کریستال های فوتونیک

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-LPPS01-LPPS01_043.html