CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله طراحی سوئیچ خازنی RF MEMS با خم تاخورده و غشا طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک

عنوان مقاله: طراحی سوئیچ خازنی RF MEMS با خم تاخورده و غشا طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک
شناسه (COI) مقاله: MAARS01_312
منتشر شده در همایش یافته های نوین در هوافضا و علوم وابسته در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

جواد مرگدری راد - دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه جامع گلستان،ایران
یدالله هزارجریبی - دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه جامع گلستان، ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای سوئیچ های RF MEMSجهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است. شارژ دی الکتریک ناشی از ولتاژ تحریک بالا یکی از دلایل ضعف سوئیچ های خازنی است از آنجا که اصلی ترین مشکل در سوئیچ های RF MEMSولتاژ تحریک بالا می باشد. نشان خواهیم داد که با طراحی سوئیچ با پل معلق خازنی باخم تا خورده و غشا طلا به کاهش ثابت فنری و در نتیجه به ولتاژpull-in کمتری دست خواهیم یافت. این ساختار باعث افزایش شتاب خمش و کاهش ثابت فنری در پل می شود. در کنار ساختار جدید خم تا خورده، از آلیاژ طلا در غشا استفاده شده که نه تنها باعث کاهش مدول یانگ در پل می شود بلکه افزایش رسانایی بیشتری نسبت به مس و آلومینیوم دارد. به همین دلیل به صورت کارآمدی باعث کاهش ولتاژ تحریک سوئیچ می شود. همچنین پیشنهادات فوق با نرم افزار المان محدود(EFA) HFSS Intellisuite شبیه سازی شده اند.

کلمات کلیدی:
ساختار خم خورده،سوئیچ های RF MEMS، غشاء، ولتاژ تحریک

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-MAARS01-MAARS01_312.html