فهیمه دبیری - دانشکده تحصیلات تکمیلی ، دانشگاه آزاد بوشهر
زهیر کرد رستمی - دانشکده مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی شیراز

نانو لوله های گالیم نیترید شبیه سازی شده و با نانو لوله های کربنی مقایسه شده است نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که نانو لوله های گلیم نیترید عمدتا نیمه هادی می باشد محاسبات ساختار باند انرژی و چگالی حالت موید این مطلب است در این مقاله از یک مدل تحلیلی دقیق که بر اساس تئوری تابع چکالی DFT پایه ریزی شده استفاده گردیده است مشخصه ولتاژ جریان یک ترانزیستور اثر میدان نانو لوله ای با گیت مسطح که کانال آن از نانو لوله گالیم نیترید زیگزاگ می باشد مورد بررسی قرار گرفته و نتایج حاصل با نانو لوله کربنی مقایسه شده است نتایج نشان میدهد با ابعاد و در شرایط مشابه ترانزیستورهای نانو لوله گالیم نیترید نسبت به نانو لوله های کربنی جراندهی کمتری دارند.

ترانزیستورهای اثر میدانی ، نانولوله گالیم نیترید ، نانولوله کربنی ، انرژی ، چگالی حالت