محمدمهدی حسنی متین - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز
منصور فربد - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز
ایرج کاظمی نژاد - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز

در این کار تحقیقاتی نانولولههای کربنی به روش قوس الکتریکی در حضور میدان مغناطیسی و عدم حضور میدان مغناطیسی در جریانهای مختلف 30-55) آمپر ) و همچنین اتمسفرهای آرگن و هلیم، در فشارهای 0/7 ، 1 و 1/3 اتمسفر تولید گردیدند . سپس اقدام به خالصسازی نانولولههای کربنی به روش اکسیداسیون حرارتی کردیم . نمونههای بدست آمده توسط میکروسکوپهای الکترونی SEM وTEM مورد مطالعه قرار گرفتند . تصاویر بدست آمده نشان داد که نانولولههای کربنی تولید شده x و همچنین توسط دستگاه پراش اشعه در حضور میدان مغناطیسی نسبت به نانولولههای کربنی تولید شده در غیاب میدان مغناطیسی با خلوص بسیار بالاتر، منظمتر و موازیتر میباشد

فولرن، نانولولههای کربنی تکدیواره، نانولولههای کربنی چنددیواره