CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی

عنوان مقاله: بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی
شناسه (COI) مقاله: NAYRC01_082
منتشر شده در همایش ملی نانو مواد و نانو تکنولوژی در سال ۱۳۸۸
مشخصات نویسندگان مقاله:

علی اصغر صدقی - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد شبستر

خلاصه مقاله:
با استفاده از روش موج تخت تغییر یافته، ساختار نوار فوتونی در یک نانو بلور فوتونی پاشنده با شبکه مربعی محاسبه شده است. میله های پاشنده واقع در بلور را از جنس فلز و با سطح مقطع هگزاگونال انتخاب کرده ایم که در زمینه ای از هوا قرار گرفته اند. این نانو بلورها از خود گاف نوار فوتونی یا همان ناحیه ممنوعه بسامدی نشان می دهند. معمولا این گافها از لحاظ طیف نوری در ناحیه مادون قرمز قرار می گیرند. هدف ما در این مقاله بررسی موقعیت و پهنای این گافهای فوتونی و بدست آوردن گاف نوار بیشینه است. برای این منظور مقادیر مختلفی را برای بسامد پلاسمای مؤثر نانو بلور در نظر گرفته ایم. نتایج حاکی از اینست که تعداد و همچنین پهنای گافهای نوار با افزایش بسامد پلاسمای مؤثر، افزایش می یابد.

کلمات کلیدی:
نانو بلور فوتونی- روش موج تخت تغییر یافته-گاف نوار-ساختار نوار

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-NAYRC01-NAYRC01_082.html