CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN

عنوان مقاله: بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN
شناسه (COI) مقاله: NAYRC01_107
منتشر شده در همایش ملی نانو مواد و نانو تکنولوژی در سال ۱۳۸۸
مشخصات نویسندگان مقاله:

زهرا هاشم پور - دکترا در رشته فیزیک و عضو هئا ت علمی واحد خوی
رجب یحیی زاده - دکترا در رشته فیزیک و عضو هئا ت علمی واحد خوی

خلاصه مقاله:
دراین مدل تحلیلی تاثیر جریان نشت گیت برروی پارامترهای سیگنال کوچک مداربادرنظرگرفتن جریانهای سطحی , جریانهای حجمی ,جریانهای تونل زنی وجریان گسیل گرمایونی درترانزیستورهای اثرمیدان ساختارهای نامتجانس بررسی شده است. نتایج تحقیق نشان می دهدباافزایش ولتاژگیت-سورس ظرفیت خازن بطورچشمگیری افزایش می یابدواین درصورتی است که پهنای ناحیه تهی کاهش یابد و با کاهش پهنای ناحیه تهی جریان نشت گیت نیز افزایش می یابد.

کلمات کلیدی:
جریان نشت گیت، AlGaN/GaN ، پهنای ناحیه تهی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-NAYRC01-NAYRC01_107.html