CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک

عنوان مقاله: محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک
شناسه (COI) مقاله: NCAEC01_017
منتشر شده در کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق و کامپیوتر در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

حسن مسلمی - مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین
ایمان عباسپور - دانشگاه سلمان فارسی کازرون
مهرداد عمیدی - دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون

خلاصه مقاله:
جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در کار پژوهشی حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد و سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد و در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد. عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد.

کلمات کلیدی:
تابع موج، ضخامت اکسید، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-NCAEC01-NCAEC01_017.html