سید فخرالدین نبوی - دانشجوی کارشناسی ارشد رشته الکترونیک دانشگاه Ozyeginو پژوهشگر موسسه TUBITAK،استانبول،ترکیه.

امروزه که MEMS رزوناتورها جایگاه وسیعی در وسایل الکتریکی و الکترونیکی باز کرده اند به دلیل ابعاد بسیار کوچک آنها (میکرو متر)و استفاده از سیلیکون تک کیریستالی در ساختار ان ها،این رزوناتورها بسیار به دما حساس می باشند به نحوی که با افزایش دما شکل آنها از حالت استاندارد و طراحی شده خارج می شود،در همین راستا آنان قادر به تولید فرکانسی که برای ان طراحی شده اند،نبوده و شاهد شیفت فرکانسی می باشیم.در این مقاله سعی بر توصیف روشی شده است که با اضافه کردن فسفر بر سطح این رزوناتورها خاصیت فیزیکی سیلیکون تغییر نموده و در برابر افزایش دما مقاومت می نماید. به عبارت دیگر می توان گفت با این روش می توان به رزوناتورهای قابل اعتمادتری در برابر تغییرات دما رسید که در انها شیفت فرکانسی به حداقل رسیده است.

رزوناتور ، MEMS resonator، پیزوالکتریک ، ضریب کیفیت ، حساسیت، Young’s module ،مدول الاستیسیته