جابر موسوی - دانشجوی کارشناسی ارشد، فیزیک حالت جامددانشگاه پیا نور اهواز
هدیه اعتمادی فر - دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد دانشگاه پیام نور اهواز

در این مقاله تغییرات جریان عبوری برحسب تغییرات ولتاژ درین و گیت در یک ترانزیستور اثر میدان بر پایه نانو لوله با استفادهاز پتانسیل خودسازگار بررسی خواهد شد. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با افزایش ولتاژ جریان عبوری نیز افزایش می یابد. هم‌چنین نتایج نشان می‌دهند که با افزایش قطر نانولوله جریان عبوری بیشتر می‌شود علاوه بر این جریان عبوری از یک نانولوله زیگزاگ از نانو لوله غیر متقارن بیشتر است.

نانولوله کربنی، ترانزیسترو اثر میدان، سیم کوانتومی، نانو لوله‌های زیگزاگ