CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا

عنوان مقاله: تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا
شناسه (COI) مقاله: PSC19_009
منتشر شده در نوزدهمین کنفرانس بین المللی برق در سال ۱۳۸۳
مشخصات نویسندگان مقاله:

محبوب بلندی - دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف، پژوهشگاه نیرو ایران
زیارتعلی نعمتی - دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف
محمدرضا مهندس - پژوهشگاه نیرو ایران
مجید مرکزی - پژوهشگاه نیرو ایران

خلاصه مقاله:
پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره حذف سرب از اجزاء پوشش مورد نظر بوده است . مزیت ردة جدید پوششهای مورد استفاده، یعنی پوشش های دما بالا، در اعمال دوغاب بر روی نمونة خام و پخت همزمان پوشش و بدنه در همان درجه حرارت زینتر بدنة ZnO می باشد که صرفه اقتصادی و زمانی را به دنبال خواهد داشت . در این مقاله، تهیه و اعمال پوششهای بر پایه SiO2 و Fe2O3 ارائه شده و همچنین تاثیر افزودن Bi2O3 ، B2O3 و Al2O3 بر خواص فیزیکی و الکتریکی پوشش قرصهای بهینه سازی شده، مورد بررسی قرار گرفته است . نتایج نشان میدهد که تمامی پوشش های تهیه شده ازواکنش پذیری خوبی با سطح بدنه برخوردارمی باشند . تصاویرحاصل از SEM پوشش ها وبدنه بهینه سازی شده نیز نتایج خوبی از نظر واکنش پذیری پوشش و بدنه و وجود تخلخل در نمونه ها ارائه می دهد .

کلمات کلیدی:
وریستور اکسید روی، پوشش عایق دما بالا، اعمال پوشش ، ترکیبات بدون سرب، پخت همزمان

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-PSC19-PSC19_009.html