CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله معرفی ساختار IGBT

عنوان مقاله: معرفی ساختار IGBT
شناسه (COI) مقاله: REGCMAES02_058
منتشر شده در دومین همایش ملی ریاضیات و کاربردهای آن در علوم مهندسی در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

مرتضی رحیمی سلکویه - کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
میرمنصور ضیابری - استادیار، گروه برق، دانشگاه گیلان

خلاصه مقاله:
IGBT به عنوان یک ترانزیستور با قابلیت هدایت در ناحیه جریان – ولتاز بالا و همچنین افت ولتاژ مستقیم متوسط (در حدود 8/1 ولت) قطعه ایده آلی باری بکارگیری در شکبه توزیع محسوب می شود. در کل، ساختار IGBT مشابه تریستورها، متشکل از دو ترانزیستور دو قطبی PNO، NPN و یک MOSFET با گیت عایق شده است. قابلیت تطبیق انواع تجهیزات حفاظتی در مدار اره اندازی گیت IGBT ها یکی دیگر از مزایای آنها به شمار می رود. این مقاله بررسی جامعی از ساختار IGBT را مورد تحقیق قرار داده است. در این مقاله ابتدا چارچوب و خصوصیات IGBT را توصیف می کنیم. اهمیت اصلی مقاله معرفی ویژگی های IGBT و در نهایت معایب و مزیای آن بیان می شود.

کلمات کلیدی:
IGBT، ترانزیستور، گیت، ولتاژ

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-REGCMAES02-REGCMAES02_058.html