CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن

عنوان مقاله: بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن
شناسه (COI) مقاله: STSEE01_005
منتشر شده در اولین همایش تخصصی علوم، فناوری و سامانه های مهندسی برق در سال ۱۳۹۲
مشخصات نویسندگان مقاله:

عبدالنبی کوثریان - دانشگاه شهید چمران عضو هیات علمی گروه مهندسی اهواز
تینا دقوقی - دانشجوی کارشناسی ارشد اهواز

خلاصه مقاله:
در این مقاله دو مدل برای توصیف رفتار سرعت رانش حاملها در طول افزاره بر حسب بایاس اعمال شده بیان میشود. با شبیهسازی مدلها و مقایسهی آنها، تاثیر در نظر گرفتن اثر الکترون انتقالی وشیب منفی نمودار سرعت میدان برای بهبود مشخصهی جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی GaN / AlGaN بررسی شده است. همچنین شبیهسازی رفتار ترانزیستور با مقادیر مختلفمقاومت اتصالات در جهت بررسی تاثیر همزمان تحرک منفی حاملها و نوع روش ساخت و تعیین مشخصات فیزیکی افزارهها انجام شده است

کلمات کلیدی:
HFET ، AlGaN/GaN ، تحرک منفی حاملها ،تحرک وابسته به میدان،گارالکترونی دوبعدی،اثر الکترون انتقالی،مقاومت اتصالات

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-STSEE01-STSEE01_005.html