CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با گیت دی الکتریک نانو کامپوزیت هیبریدی اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن

عنوان مقاله: ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با گیت دی الکتریک نانو کامپوزیت هیبریدی اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن
شناسه (COI) مقاله: STSEE01_009
منتشر شده در اولین همایش تخصصی علوم، فناوری و سامانه های مهندسی برق در سال ۱۳۹۲
مشخصات نویسندگان مقاله:

مریم درخشی - دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک
محدثه جمالی - دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک،
علی بهاری - دانشگاه مازندران،علوم پایه، عضو هیئت علمی گروه فیزیک،

خلاصه مقاله:
در کار حاضر اکسید نیکل به روش سل ژل سنتز شده، و پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2و 21 به اکسید نیکل اضافه شده است. ویژگی نانوکامپوزیت های بهدست آمده با استفاده از تکنیکهای میکروسکوپ الکترونی روبشی) SEM ) و پراش پرتو ایکس) XRD ( و نرم افزار X-Powder مورد ارزیابی قرار گرفته شد. نتایج نشان داده است نانو کامپوزیت اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2:2 به دلیل دارا بودن مورفولوژی سطح خوب و استحکام مکانیکی بالا با توجه به رابطهی هال پچ نمونهی بهتری برای جایگزینی در گیت دی الکتریک ترانزیستور است

کلمات کلیدی:
گیت دی الکتریک، نانو کامپوزیت هیبریدی، ترانزیستوزهای اثر میدانی آلی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-STSEE01-STSEE01_009.html