CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن

عنوان مقاله: شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن
شناسه (COI) مقاله: TAES01_030
منتشر شده در کنفرانس ملی چشم انداز 1404 و پیشرفتهای تکنولوژیک علوم مهندسی در سال ۱۳۹۴
مشخصات نویسندگان مقاله:

راشین آب بند پاشاکی - گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت، رشت، ایران
سید علی صدیق ضیابری - گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت، رشت، ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله مطالعاتی بر روی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر انجام شده است. ابتدا منحنی جربان درین سورس بر حسب ولتاژ گیت سورس ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی به ازای مقادیر مختلف دما بدست آمده است که برای انجام این کار از روش NEGF یا تابع غیر تعادلی گرین استفاده کرده ایم. سپس تغییر قطر کانال نانوسیم به عنوان راهکاری برای بهبود کارایی ترانزیستور مورد نظر ارائه می شود. با تحلیل نتایج بدست آمده خواهیم دید که هر چقدر قطر کانال ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم تونلی کاهش یابد، سرعت کلیدزنی آن افزایش خواهد یافت.

کلمات کلیدی:
ترانزیستور اثر میدانی، نانوسیم سیلیکنی تونلی، اثر قطر کانال

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-TAES01-TAES01_030.html