CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی عوامل موثر بر ولتاژ تحریک یک سوئیچ خازنی با استفاده از تکنولوژی MEMS

عنوان مقاله: بررسی عوامل موثر بر ولتاژ تحریک یک سوئیچ خازنی با استفاده از تکنولوژی MEMS
شناسه (COI) مقاله: THINFILM01_029
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نوآوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها در سال ۱۳۹۰
مشخصات نویسندگان مقاله:

هدیه محمود نیا - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران
بهرام عزیزالله گنجی - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران
عالیه رازقی - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل، مازندران، ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله، اثرات پارامترهای مختلف یک سوئیچ خازنی میکروالکترومکانیکی (MEMS) فرکانس بالا (RF) با غشای متحرک مسی بر ولتاژ تحریک آن مورد بررسی قرار کرفته است. پارامترهای این سوئیچ شامل ثابت های مواد (مانند ضریب کشسانی، ضریب پوآسون و غیره)،ابعاد هندسی،فاصله هوایی میان صفحه متحرک و صفحه ثابت می باشد. همچنین صحت تئوری با مقایسه مقادیر شبیه سازی و تئوری بررسی شده است. این بررسی می تواند به طراحان سوئیچ جهت بدست آوردن ساختاری بهینه کمک کند.

کلمات کلیدی:
ولتاژ تحریک - سوئیچ خازنی - ضریب کشسانی - فاصله هوایی - ابعاد هندسی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-THINFILM01-THINFILM01_029.html