CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک CuCrO2 تهیه شده با روش سل-ژل و تکنیک لایه نشانی چرخشی

عنوان مقاله: خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک CuCrO2 تهیه شده با روش سل-ژل و تکنیک لایه نشانی چرخشی
شناسه (COI) مقاله: THINFILM01_034
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نوآوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها در سال ۱۳۹۰
مشخصات نویسندگان مقاله:

مرتضی عاصمی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
داود کلهر - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
آرین گودرزی - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
مجید قناعت شعار - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران

خلاصه مقاله:
لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف CuCrO2 با استفاده از روش سل - ژل به همراه لایه نشانی چرخشی روی زیرلایه ی شیشه تهیه شدند.اثر دمای عملیات پیش حرارتی، روی خواص الکتریکی و اپتیکی این نیمرسانای نوع P مورد بررسی قرار گرفت و سپس نمونه ها تحت عملیات حرارتی در خلا در فشار 10 میلی بار قرار گرفتند. میزان تراگسیل نمونه ها در ناحیه نور مرئی حدود 80 درصد، گاف انرژی در حدود 3 الکترون ولت و مقاومت الکتریکی لایه ها از مرتبه مگا اهم است.

کلمات کلیدی:
سل - ژل،لایه نازک، لایه نشانی چرخشی، نیمرسانای اکسیدی شفاف

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-THINFILM01-THINFILM01_034.html