CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله مطالعه اثر دما روی خواص اپتوالکتریکی و ساختاری لایه های نازک اکسید قلع به روش اقتصادی نهشت بخار شیمیایی

عنوان مقاله: مطالعه اثر دما روی خواص اپتوالکتریکی و ساختاری لایه های نازک اکسید قلع به روش اقتصادی نهشت بخار شیمیایی
شناسه (COI) مقاله: THINFILM01_041
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نوآوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها در سال ۱۳۹۰
مشخصات نویسندگان مقاله:

مسعوده ملکی - آزمایشگاه CVD ، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان
سید محمد روضاتی - آزمایشگاه CVD ، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان

خلاصه مقاله:
ما از روش جدید و بهینه شده نهشت بخار شیمیایی برای ساخت لایه های اکسید قلع استفاده نمودیم. این روش بسیار ساده و کم هزینه می باشد و فیلم هایی با خواص خوب الکتریکی جهت کاربردهای سنسوری تولید می کند. اثر دمای زیرلایه روی مقاونت سطحی،مقاومت،موبیلیتی و غلظت حامل و شفافیت فیلمها مطالعه شد. بهترین مقاومت سطحی در دمای زیرلایه 500C حدود 27/Ω بدست آمد. پراش پرتو X نشان داد که ساختار فیلمهای تولید شده پلی کریستال با اندازه دانه بین 300-100 A است. جهت ترجیحی برای فیلمهای لایه نشانی شده در دمای 500C، (211) است. تصاویر FESEM بدست آمده نشان داد که دمای زیرلایه فاکتور مهمی در افزایش اندازه دانه و بهبود خواص الکتریکی است.

کلمات کلیدی:
فیلمهای نازک اکسید قلع،دمای زیرلایه، نهشت بخار شیمیایی در فشا رهوا

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://www.civilica.com/Paper-THINFILM01-THINFILM01_041.html