حسین محمدی - دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
سجاد ایمانی - دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مزدک رادملکشاهی - دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مهدی منصوری - دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر

در این مقاله به ارائه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه (DMOSFET) پرداخته شده است که با استفاده از نرم افزار TCAD Silvaco طراحی و شبیه سازی شده است. این ترانزیستور به ازای سناریوهای گوناگون دفیوژن مورد بررسی قرار گرفته است ترازیستور ارائه شده دارای عرض کانال ۲۰ میکرومتری است و ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن آن به ترتیب ۷۱۹ ولت و ۳۸۳میلی اهم بر سانتیمتر مربع میباشد. هم چنین نرخ روشن /خاموش آن حدود ۴۹۳.۲۵ است بنابراین با توجه به مشخصه های بسیار مناسب افزاره طراحی شده از این ترازیستور در بسیاری از مدارت الکترونیکی و تجهیزات توان میتوان بهره برد

ترازیستور ،اثر میدان دفیوژن دوگانه، عرض کانال ،ولتاژ شکست