ثمین ابراهیمی - کارشناس ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور
سید علی هاشمی زاده عقداء - استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN۲k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست آمده از ساختار الکترونی و نواری را تایید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار می رود این آلیاژها خیلی راحت تر به عنوان نیم رساناهای نوع p آلاییده شوند.

خواص اپتیکی, نظریه تابعی چگالی, روش امواج تخت به ساخته خطی با پتانسیل کامل, آلومینیوم ایندیم گالیم نیترید