سیده سوسن سادات احمدی - دانشگاه شهید چمران اهواز دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشجوی دکتری فیزیک ماده چگال
پیمان امیری - دانشیاردانشگاه شهید چمران اهواز دانشکده علوم، گروه فیزیک

خواص ساختاری و ترموالکتریک پروسکایتهای ۱۰) CsPbla Br در تقریب GGA مورد مطالعه قرار گرفتند. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی QUANTUM-ESPRESSO بر اساس تئوری تابعی چگالی (DFT) و روش شبه پتانسیل انجام شد. در بررسی خواص ترموالکتریک و محاسبه ضریب سیبک ماهیت نیم رسانایی نوع P برای همه پروسکایت ها مشاهده شد. پارامترهای ترموالکتریک مانند ضریب سیبک و ضریب عملکرد (۲۱) با افزایش دما کاهش یافتند اما پارامترهای رسانندگی الکتریکی در تقریب زمان و اهلش رسانندگی گرمایی در تقریب زمان واهلش و عامل توان (PF) با افزایش دما افزایش پیدا کردند. حداکثر ضریب عملکرد (۲۱) برای همه پروسکایتهای مطالعه شده (۰) CsPbb Br در دمای اتاق برابر با ۰٫۹۵ بود که این مواد را گزینه خیلی خوبی برای استفاده در دستگاههای ترموالکتریک می کند.

نظریه تابعی چگالی مواد ترموالکتریک پروسکایت ضریب عملکرد مواد نیم رسانا