سعید محمدی - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران
حسین عبدی زاده - دانشیار، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران
محمدرضا گل و بستان فرد - دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران

لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلع (ITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. جهت ایجاد لایه های مورد نظر، محلول سل اولیه شامل محلولهای کلرید اینیدم و کلرید قلع به همراه حلال های مناسب آماده شد. پس از مخلوط کردن محلول های و همزدن آن، سل ایجاد شده با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه در سرعت و مدت زمان معین نشانده شد. سپس لیایه ایجا شده در دمای 150 درجه سانتیگراد خشک شده و تحت عملیات آنیل در دمای 500 درجه سانتیگراد قرار گرفت. جهت بررسی نوع فازها و آنالیز شیمیایی از روش پراش پرتو اشعه نشر UV-Vis Spectrophotometer استفاده شد. آنالیز XRD نشان م یدهد که نانو ذرات اکسید ایندیم قلع دارای فاز مکعبی بیکسبیت می باشند. تصاویر FESEM بیانگر فیلم های کریستالین اکسید ایندیم قلع با اندازه ذرات کریستالی 17-40 نانو متر می باشند. همچنین نتایج نشان میدهد که فیلم های حاصل دارای شفافیت بالای 85% د رمحدوده نورد مرئی می باشند و کمترین مقاومت در غلظت سل 0/2 مولار و سرعت لایه نشانی 3000rpm حاصل شده است.

اکسید ایندیم قلع (ITO)، لایه نازک نانو ساختار، سل-ژل، لایه نشانی چرخشی