ادریس فیض آبادی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران
محمدرضا خیاط زاده - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران

با در نظر گرفتن ساختار ابرشبکه InAs/GaAs or InxGa(1-x)As/InAs قطبیدگی اسپین الکترونها و ضریب عبور آنها را تحت اثر عدم تقارن معکوس (BIA) ساختار و در حضور برهمکنش اسپین مدار مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شده است که با بهینه کردن درصد ایندیوم و فاصلة بین دو لایة ناخالصی تحت هامیلتونی درس الهاوس، می توان به قطبیدگی %100 برای اسپین الکترونها رسید . همچنین شرایط گذار مات برای سیستم مورد مطالعه قرار گرفته است . وابستگی انرژی گذار به پهنای سد نیز بررسی شده است

قطبیدگی اسپین، تونل زنی وابسته به اسپین، طول جایگزیدگی، نمای لیاپانف