CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر کاشت هیدروژن بر روی شبکه بلوری SiC در مقیاس نانومتر با روش های AFM و RBS-Channeling

عنوان مقاله: بررسی اثر کاشت هیدروژن بر روی شبکه بلوری SiC در مقیاس نانومتر با روش های AFM و RBS-Channeling
شناسه ملی مقاله: IPC85_100
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1385 در سال 1385
مشخصات نویسندگان مقاله:

علی باقی زاده - بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر
مهرداد شیروانی - بخش لیزر نیمه هادی، مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهرا
داود آقاعلی گل - بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر
محمد فرمینی فراهانی - بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر

خلاصه مقاله:
در این مقاله اثر کاشت هیدروژن در ساختار سطحی بلور 6H-SiC مورد بررسی قرار گرفته است . سطح بلور در دو ناحیه کاشت شده و بدون کاشت با کمکAFM بررسی و مقایسه شده است . کیفیت ساختار بلوری و اثر کاشت هیدروژن در عمق بلور با استفاده از آنالیز RBS-Channeling مطالعه گردیده است افزایش نایکنواختی سطح در ناحیه کاشت شده را نسبت به ناحیه بدون کاشت نشان می دهند . اما نشانه ای از تاثیر کاشت بر روی نانوخراش AFM نتایج آزمایش های ایجاد شده بعد از فرآیند زدایش دیده نمی شود . همچنین، ایجاد آسیب شبکه ای بر اثر برخورد هیدروژن با اتم های سیلیکان و کربن در نتایج آنالیز کانال زنی دیده می شود

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/24745/