حسین موحدی علی آباد - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک
حسن نیستانی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک
مجید شکری - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک
محسن شکری - کارشناس طرح تدوین سازمان فناوری اطلاعات

در این مقاله دو روش کاربردی DTMOS و PFA بررسی شده که ابتدا به صورت جداگانه و سپس بصورت ترکیبی و همزمان بر روی یک تقویت کننده عملیاتی کلاس AB در تکنولوژی CMOS0.18μm اعمال گردیده است. نتایج حاصل از شبیه سازی در روش پیشنهادی اول، ولتاژ کاری را تا V ±0/5 کاهش داده و بهره ولتاژ آن dB 52/6 و پهنای باند مدار MHz 103/51 گردیده است. در مدار پیشنهادی دوم کاهش توان مصرفی بیش از 50 %، افزایش بهره حلقه باز DC تا % 47 و رشد CMRR تا dB 86/5 را نشان می دهد. بدون تغییر در اندازه ی ترانزیستورها و فقط با اعمال هر دو مدار پیشنهادی فوق بر روی تقویت کننده طراحی شده مرحله اول، علاوه بر تثبیت ولتاژ کاری مرحله اول و تثبیت بهره حلقه باز DC مرحله دوم، افزایش CMRR تا dB 92/1 ، کاهش توان مصرفی تا μW 97 و رسیدن به پهنای باند MHz 59/12 میسر گردیده است.

PFA, FVF, DTMOS، تقویت کننده عملیاتی کلاس AB