فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیار پور - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
شمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک

لایه های نازک اکسید روی بر روی زیر لایه های شیشه و سیلیکون (100) با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است.لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (99/99%) و بدون گرمادهی زیر لایه ها با تغییر توان RF از 50 تا 350 وات انجام شده و تاثیر توان لایه نشانی روی ساختار سطحی، کیفیت بلوری، خواص نوری و تنش این لایه ها بررسی شده است. آنالیز پراش اشعه (XRD)x بر روی نمونه های لایه نشنی شده با توان RF کمتر از 200 وات ساختار بلوری و جهت غالب (002) را نشان میدهد . البته توان 150 وات به دلیل داشتن پیک با شدت زیاد در جهت (002) از کیفیت بالای بلوری برخوردار است. نتایج آنالیز پراش اشعه x مربوط به توان 150 وات را نشان می دهد که دارای کمترین مقدار نصف عرض پیک (FWHM) یعنی 0/43 درجه سانتی گراد می باشد. آنالیز میکروسکوپ الکترونی (SEM) انجام شده از نمونه ها حاکی از آن است که اندازه دانه های رشد داده شده با توان 150 وات درمقایسه با بقیه بزرگترین مقدار است. همچنین یکنواختی و چگال بودن لایه را نیز به طور واضح نشان می دهد. آنالیز طیف نگاری نیز نشان می دهد که لایه اکسید روی با توان 150 وات درصد عبور بالای یه طور میانگین 85% در محدوده نور مرئی را دارا می باشد. همچنین انرژی باند ممنوعه این لایه ها از 3.25ev تا 3.31ev بسته به توان لایه نشانی تغییر می کند.

سیستم کند و پاش RF ، خواص بلوری ، ساختار سطحی ، لایه های نازک اکسید روی ، تنش پسماند