بهزاد اسفندیارپور - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
سعیده ابراهیمی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمان - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

لایههای نازک اکسید روی بر روی زیر لایههای شیشه با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است. لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (99.99%) و بدون گرمادهی زیر لایهها با تغییر توان RF از 50 تا 350 انجام شده است. آنالیز پراش اشعه XRD) x ) برای بررسی ساختار بلوری و آنالیز میکروسکوپ الکترونی( SEM) برای بررسی ساختار سطحی لایههای نانو بلوری اکسید روی مورد استفاده قرار گرفته است. اندازة دانههای لایههای اکسید روی از nm 8 تا nm 20 تغییر میکند. استرس مربوط به زمان لایه نشانی لایههای اکسید روی که با توان 150 وات لایه نشانی شدهاند نزدیک صفر میباشد همچنین اندازة دانههای اکسید روی مربوط به توان 150 وات بیشترین مقدار یعنی حدود 26nm بدست آمده است. طیفXRD وات لایه 100 تا 200 وات لایه نشانی شده اند، تنها پیک ( 002 ) ساختار ورتزایت اکسید روی را نشان میدهد که بیانگر کیفیت بالای بلوری این لایه ها است.