میثم زرچی - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول، گروه مهندسی مواد، دزفول، ایران
شاهرخ آهنگرانی - عضو هیات علمی پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران، تهران، ایران

در این تحقیق فیلم های نازک SiO2 به کمک روشPECVDدر دمای اتاق بوسیله یک پلاسمای کوپلی با ترکیبات گازی مختلف TEOS/N2/O2و در توانRFمعین و ولتاژ بایاسDCایجاد شد. ترکیب گاز مورد استفاده شاملsccm40 از گازN2در TEOS 100sccmاز گازN2 وsccm500 از گازO2 می باشد. مقاومت به خراش و شفافیت این فیلم ها می تواند از طریق نرخ رسوب گذاری معادلnm/min30با توان W RF500 و ولتاژ بایاسV dc 350 ایجاد شود. خواص رسوبهایPECVDSiO2 مانند ترکیب شیمیایی، انرژی پیوندی و ... با همین فیلم های تولید شده توسط سایر روش ها مقایسه گردید؛ نتایج نشان داد که این فیلم ها خواص برجسته ای نسبت به روش هایCVDحرارتی و تبخیری دارند. سختی سطح این پوشش ها با ضخامتnm-100- معادل با سطح زیرلایه بود.

سیلیکون، پلاسما، ضریب شکست، فیلم های اکسی نیترید